PIXE应用于分析Si基片热扩Ni的深度分析

摘要

本文报告了PIXE(Proton Induce X-ray Emission)技术分析Si基片热扩Ni的深度剖面,质子能量为0.7至2.5MeV,比较了两种理论计算结果的差异,并与其它测量方法得的结果作了比较。