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刘建军; 陈三;
淮北师范大学物理与电子信息学院,淮北,235000;
第一性原理; 电子结构; 吸收光谱; Ga掺杂ZnO;
机译:镍重掺杂对纤锌矿型ZnO电子结构和吸收光谱的影响的第一性原理研究
机译:Zn空位单掺杂和(Zn空位,Li)共掺杂ZnO的铁磁性能,电子结构和形成能的第一性原理研究
机译:Ga,N单掺杂和Ga-N共掺杂ZnO导电行为的第一性原理研究
机译:晶体1H-四唑及其取代衍生物的电子结构,吸收光谱和热力学性质的第一性原理研究
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
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机译:基于第一性原理计算的al / Ga共掺杂ZnO的电子结构和光学性质分析
机译:GaN中迁移机制和碳扩散的第一性原理研究(Open access publisher's Version)。
机译:浸渍有三偏酯和AG掺杂的ZNO纳米颗粒的杀菌剂,制备含有AG掺杂的ZNO纳米颗粒的带有三氯甘油的胶体的方法和制备该杀菌剂的方法
机译:Ga掺杂的晶体硅,在太阳能电池的生产方式及其制造方式中,使用Ga掺杂的晶体硅生产装置的零掺杂的Ga掺杂的晶体硅,以及Ga掺杂的晶体硅
机译:面向靶溅射法制备用于OLED的GA掺杂Zno薄膜
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