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叶伟; 杜鹏飞; 萧生; 李梦飞;
陕西理工大学机械工程学院;
红外探测器; 倍增层掺杂浓度; 电场分布; 暗电流; 比探测率;
机译:InP上势垒型2.6mm In_(0.83)Ga_(0.17)As / In_(0.83)Al_(0.17)As光电探测器的频率响应
机译:复合通道IN_(0.17)AL_(0.83)N / IN_(0.1)GA_(0.9)N / GAN / AL_(0.04)GA_(0.96)N高电子移动晶体管用于RF应用
机译:具有In_(0.66)Ga_(0.34)As / InAs超晶格电子势垒的变质In_(0.83)Ga_(0.17)As光电探测器中的暗电流抑制
机译:台面型扩展波长64×64 In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器的研究
机译:自旋电子学行为的发生(半金属性自旋无间隙半导体和双极磁性半导体)取决于BiFe0.83Ni0.17O3中氧空位的位置
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:准一维稀释的Ising样反铁磁CsCo(sub 0.83)mg(sub 0.17)Br(sub 3)的中子散射研究
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