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高压LDMOS导通电阻的高温特性

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这篇文章提出了高压LDMOS的高温等效电路,并在此基础上讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在25℃-300℃范围内随温度变化规律.根据本文分析,漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温及限温度,导通电阻与温度的关系是(T/T1)z(Z=1.5～2.5).

著录项

来源
《安徽电子信息职业技术学院学报》 |2002年第2期|54-58|共5页
作者
朱德智; 柯导明; 陈军宁;
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作者单位

安徽大学电子工程学院,安徽,合肥,230026;

安徽大学电子工程学院,安徽,合肥,230026;

安徽大学电子工程学院,安徽,合肥,230026;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电阻器、电位器;
关键词
高压LDMOS; 导通电阻; 高温等效电路;

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