InAs-SiO_2的电学特性研究

摘要

通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性 ,发现其电阻具有VRH电导特性 ,认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维强限域作用导致局域态的波函数交叠引起的。