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姜雨虹; 杨晓雨; 成婷婷; 闫珂珂; 刘洋; 杨景海; 郎集会;
吉林师范大学物理学院,吉林四平136000;
Cu2SnS3; Cd掺杂; 溶液法; 带隙调节;
机译:Cd含量和硫化对Cd掺杂Cu2Sns3薄膜的结构和性能的影响
机译:衬底温度对PLD制备的In掺杂CdO薄膜结构和性能的影响
机译:Zn含量掺杂对通过喷雾热解制的纳米结构CDS薄膜的光学三阶非线性特性的影响光电子学
机译:镁含量对透明导电掺杂射频掺杂的掺杂镓的氧化锌薄膜和薄膜太阳能电池性能的影响
机译:光伏应用CdTe薄膜的原位非本征掺杂
机译:不同PbO含量的PZT薄膜的微观结构和性能-内置场形成的离子机理
机译:BaZrO 3 sub> / ag杂化掺杂对无氟mOD方法YBa 2 sub> Cu 3 sub> O 7的微观结构和性能的影响-x sub>超导薄膜
机译:不同环境下Cds薄膜太阳电池的降解
机译:基于CD空位理论的CDTE多晶薄膜薄膜的P-掺杂
机译:用于通过使用原子层沉积方法向氧化物薄膜掺杂卤素的卤素掺杂源,用于制造卤素用于通过使用原子层沉积来对氧化物薄膜进行卤素掺杂的卤素掺杂源的方法,以及通过使用用于掺杂氧化物薄膜的方法制造的掺杂卤素的氧化物薄膜。含卤素
机译:形成包括金属掺杂步骤的CDTE薄膜太阳能电池的方法和用于进行所述金属掺杂步骤的系统
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