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齐程东;
江西科技师范大学;
氮化镓; 掺杂; 热导率; 声子;
机译:铟掺杂对氮氮化钛镓的 - 居高位脱位运动的影响
机译:氮掺杂对磁控溅射氮化镓发光二极管铟锡氧化物薄膜结构,光学和电学性能的影响
机译:铟掺杂对可见光辐照下氧氮化镓分解水活性的影响
机译:应变和极化分级对金属与纤锌矿氮化铟镓之间隧穿势垒空穴传输的影响
机译:应变对铝铟镓氮化镓四元合金光学性能及其异质结构的影响。
机译:聚合物溶液加工铟镓氧化铟掺杂的实验与理论探测
机译:导电带与价电带井深比例对405-nm氮化铟镓量子井雷射特性之影响
机译:稀土掺杂对氮化镓薄膜的影响
机译:用于氮化铟镓型发光二极管的半导体芯片包括由氮化物材料制成的半导体层和n掺杂层,其中n掺杂剂比硅或元素周期表中特定族的元素重
机译:等电共掺杂方法,用于获得高导电率的p型氮化镓,氮化铝和氮化铟半导体
机译:通过热注入和纳米级退火使铟铝镓氮化物系统中的掺杂剂高活化
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