复合敏感栅MIS二极管的H2S响应特性

何秀丽; 李建平; 高晓光

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复合敏感栅MIS二极管的H2S响应特性

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采用射频磁控溅射方法制备复合敏感栅MIS二极管H2S气体传感器.具体结构为:敏感栅/SiO2-Si/Al,敏感栅薄膜为Ag2O-SnO2、Ag-SnO2或SnO2-Ag-SnO2,在400℃大气中退火2 h以提高稳定性.测试了3种器件在室温到150℃范围内对H2S的敏感特性,三者对H2S都有响应,其中Ag2O-SnO2/SiO2-Si/Al MIS二极管对H2S表现出最高的灵敏度和最好的选择性.初步实验结果表明,此复合敏感栅MIS二极管的气敏机理主要是敏感薄膜电阻变化的结果.

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来源
《仪表技术与传感器》|2002年第3期|47-49|共3页
作者
何秀丽; 李建平; 高晓光;
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作者单位

中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京市,100080;

中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京市,100080;

中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京市,100080;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类溅射;
关键词
复合敏感栅 MIS二极管硫化氢;
入库时间 2023-07-25 10:56:18

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