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高密度垂直集成光电二极管焦平面列阵技术(下)

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@@ 在p型材料中,俄歇复合包含两个空穴和一个电子,并且被称为俄歇7.对HgCdTe进行的计算表明,当0.2＜x＜0.3时,TAi7～8TAi1.

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来源
《红外》 |2003年第3期|37-44|共8页
作者
顾聚兴;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
高密度垂直集成光电二极管; 焦平面列阵; 暗电流; 特点;

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