自填隙原子对Si晶体性能影响的研究

摘要

运用第一性原理的超软赝势方法研究了Si晶体中自填隙形成的多种缺陷对体Si电子结构和光学性质的影响。理论计算表明，缺陷使体 Si 材料的晶格常数、体积、电学和光学性质等产生了不同程度的改变，空位缺陷导致Si晶体材料吸收光谱红移。