钒原子掺杂二硫化钨二维原子晶体的化学气相沉积法制备及性能研究

目录

声明

第1 章 绪 论

1.1 引言

1.2 二维过渡金属硫属化合物

1.2.1 二维过渡金属硫属化合物的基本物理性质

1.2.2 二维层状过渡金属硫属物的制备方法

1.3 CVD法制备 WS2薄膜的研究现状

1.4 CVD法制备二维层状过渡金属硫属物异质结及掺杂的研究现状

1.5 课题选取意义和研究内容

第2 章实验方法

2.1 实验材料

2.2 实验仪器与介绍

2.2.1 光学显微镜（Optical microscope）

2.2.2 拉曼光谱仪（Raman）

2.2.3 原子力显微镜（AFM）

2.2.4 透射电子显微镜（TEM）

2.2.5 器件加工设备

第3 章 CVD法制备V 原子掺杂的WS2二维晶体

3.1 前言

3.2 单层 WS2样品的 CVD制备

3.2.1 单层 WS2样品的制备流程

3.2.1 单层 WS2的光学表征

3.3 V原子掺杂 WS2二维晶体的制备

3.3.1 V原子掺杂 WS2二维晶体的制备流程

3.3.2 V掺杂的 WS2二维晶体的初步结果与表征

3.3.3 基片位置对 V原子掺杂 WS2二维晶体形貌的影响

3.3.4 基片摆放方式对 V原子掺杂 WS2二维晶体形貌的影响

3.3.5 金属源与沉积温度对 V原子掺杂 WS2二维晶体形貌的影响

3.3.6 保温时间对 V原子掺杂 WS2二维晶体形貌的影响

3.3.8 V2O5的量对 V原子掺杂 WS2二维晶体形貌的影响

3.3.9 氩气流量对 V原子掺杂 WS2二维晶体形貌的影响

3.3.10 氢气通入时间对 V原子掺杂 WS2二维晶体形貌的影响

3.3.10 V掺杂浓度过高时单层掺杂样品的形貌及 Raman表征

3.4 两步法生长 V 掺杂 WS2二维晶体

3.4.1两步法生长V掺杂WS2二维晶体的流程

3.4.2两步法生长V掺杂WS2二维晶体的形貌及Raman表征

3.5 本章小结

第 4 章 V 掺杂WS2二维晶体的结构表征及其电学性能

4.1 V原子掺杂 WS2二维晶体的 Raman 和 PL表征

4.1.1 V掺杂 WS2二维晶体的常温 Raman、PL表征分析

4.1.2 V掺杂 WS2二维晶体的变温 Raman 分析

4.2 V掺杂 WS2二维晶体的 X射线光电子谱（XPS）分析

4.3 V掺杂 WS2二维晶体的原子力(AFM)分析

4.4 V掺杂 WS2二维晶体的透射(TEM)分析

4.5 V掺杂 WS2二维晶体的电输运性能测试

4.6 本章小结

第五章 结论

参考文献

攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要研究成果

致 谢