碲镉汞材料的离子束蚀刻研究

摘要

本文对Hg_(1-x)Cd_xTe(MCT)材料的离子束蚀刻规律进行了一些探索。结果表明可以选取低能量、小束流密度,用302光刻胶作掩模来蚀刻MCT材料,蚀刻的图形边缘整齐,边壁陡直。随着MCT组分x值的增大,其蚀刻速率减小是由于x值大的MCT材料中Cd-Te键占的比例大,Cd-Te键的结合要强于Hg-Te键。