碲镉汞材料的P、N型和其霍耳系数的正负

摘要

在半导体器件制造中，通常可以用霍耳系数的正负来判断半导体材料的Ｐ、Ｎ型，但对于碲镉汞（ＭＣＴ）材料，由于其载流子迁移率较高，电子迁移率比空穴迁移率大许多，有其特殊性。本文根据Ｐ、Ｎ型的定义和通用的霍耳系数公式对其作具体分析，表明在某些情况下，霍耳系数为负值时，材料也可能为Ｐ型。在选择ＭＣＴ光伏器件的材料时，应引起足够的重视。