基于取样光栅的λ／8 DFB半导体激光器阵列研究

摘要

本文首次报道了基于取样光栅结构的1．3微米λ／8相移DFB半导体激光器阵列。实验结果表明，激光器阵列波长呈良好的线性度，波长残差控制在＋／-0．35nm，同时单模特性良好，SMSR都在38dB以上。此外，我们也测试了激光器的直调特性，在40mA的注入电流情况下，激光器的调制带宽达到13GHz，其无杂散动态范围也达到87dB／Hz2／3。