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曾交龙; 陆启生; 舒柏宏; 许晓军;
国防科技大学应用物理系;
连续激光; 脉冲激光; 破坏效应; 砷化镓;
机译:使用1.06μm超短脉冲激光系统产生超超连续谱,用于超高分辨率光学相干层析成像
机译:1.06-μm异质激光器中使用的量子阱InGaAs层中材料增益的仿真
机译:高功率微波诱导的AlGaAs / InGaAs pHEMT中的降解和破坏效应分析
机译:连续和脉冲激光量热法在1.06μm下的比较
机译:1.06微米脉冲激光辐照下多脉冲激光对单晶金属表面的损伤
机译:基于创新的J2-Flow弹塑性模型的金属基复合材料低周疲劳疲劳破坏效应仿真
机译:错误:'使用准相匹配的藻类/ GaAs不对称量子阱结构''''在1.06μm以1.06μm提高二次谐波生成。物理。吧。 65,3176(1994)
机译:脉冲激光性能为1.06微米,来自Nd:sGGm
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:用于辐射稳定性的硬件软件系统研究了基于飞秒脉冲激光源的基于GaAs和Si的集成电路对单个带电粒子的影响
机译:用于制造GaAs材料的单晶层的单晶层的单晶层的方法,用于GaAs材料的单晶层外延生长
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