公共格栅像素CdZnTe探测器的能谱特性

摘要

使用同一块CdZnTe晶体设计制作了像素大小不等的4×4公共格栅像素CdZnTe探测器.通过能谱测定实验及权重势和电场仿真,研究了公共格栅像素CdZnTe探测器中的小像素效应和引导效应.结果表明:由于小像素效应较弱,较大的像素不能有效消除“空穴拖尾”,能谱特性较差;由于晶体内部以及像素和公共格栅间隙表层的电荷损失,较小的像素能谱特性也较差.在像素宽度为0.8 mm时,得到了对662 keV的137 Cs放射源的最佳能量分辨率3.80％和峰谷比5.65.适当增大公共格栅偏压可以引导电子向阳极像素运动,促进电荷的完全收集,改善探测器的能谱特性.过大的偏压则会造成像素和公共格栅间表面漏电流的增加,探测器的能谱特性也会恶化.在像素宽度为0.8 mm时最佳偏压为-60 V.