Ar离子辐照单晶Si引起的顺磁缺陷研究

摘要

采用电子顺磁共振研究了１１２ＭｅＶＡｒ离子５０Ｋ以下低温辐照的单晶Ｓｉ中缺陷产生和退火效应，结果表明：Ａｒ离子辐照Ｓｉ引起了中性四空位（Ｓｉ－Ｐ３心）非晶化区域等缺陷的形成，Ｓｉ－Ｐ３心分布在电子能损主导作用的辐照区域，并在２００℃的退火温度消失，伴随着四空位的退火，复杂的空位团，如Ｓｉ－Ｐ１心，Ｓｉ－Ａ１１心等出现，并保持到较高的温度，孤立的非晶区域的完全再结晶发生在３５０℃左右的退火温度，理论