Si Island Formation on Domain Boundaries Induced by Ar Ion Irradiation on High-Temperature Si(111)-7 x 7 Dimer-Adatom-Stacking Fault Surfaces

Makoto UCHIGASAKI; Kenichi TOMIKI; Takefumi KAMIOKA; Eiji NAKAYAMA; Takanobu WATANABE; Iwao OHDOMARI

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Si Island Formation on Domain Boundaries Induced by Ar Ion Irradiation on High-Temperature Si(111)-7 x 7 Dimer-Adatom-Stacking Fault Surfaces

机译：高温Si（111）-7 x 7 Dimer-Adatom-stacking断面上由Ar离子辐照引起的畴边界上的Si岛形成

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Using a low-energy ion gun/high-temperature scanning tunneling microscope combined system (IG/STM), we observed the atomic scale behavior of a Si surface kept at 500℃ before, during and after Ar ion irradiation. We found that Si islands grew up within ion irradiation selectively along the boundaries of domains of 7 x 7 dimer-adatom-stacking (DAS) faults. The Si islands were 1 double atomic layer high and had the 7 x 7 DAS reconstruction. The area of the islands increased linearly with ion doses up to 2.5 x 10~(14) cm~(-2).

机译：使用低能离子枪/高温扫描隧道显微镜组合系统（IG / STM），我们观察了在Ar离子辐照之前，期间和之后，保持在500℃的Si表面的原子尺度行为。我们发现，Si岛在离子辐照下选择性地沿着7 x 7二聚体-原子堆积（DAS）断层域的边界长大。硅岛高1个双原子层，并进行了7 x 7 DAS重建。岛的面积随着离子剂量的增加而线性增加，最大为2.5 x 10〜（14）cm〜（-2）。

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来源
《Japanese Journal of Applied Physics. Part 2, Letters》 |2005年第11期|p.L313-L314|共2页
作者
Makoto UCHIGASAKI; Kenichi TOMIKI; Takefumi KAMIOKA; Eiji NAKAYAMA; Takanobu WATANABE; Iwao OHDOMARI;
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作者单位

School of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Ohkubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, Japan;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类应用物理学;
关键词
point defect; annealing; crystal growth; surface modification;

机译：点缺陷;退火;晶体生长;表面改性;

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