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脉冲慢正电子束流的直流化装置

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摘要

在基于加速器的北京慢正电子强束流装置上,用Penning-Trap技术实现了脉冲慢正电子束流的存储和直流化．实验表明,系统的真空度对正电子的存储效率有严重影响,脉冲正电子的释放方式决定了直流化后束流的能量分散;改变释放级信号波形以及释放方式可以得到能量分散小于1eV的准直流化慢正电子束流．

著录项

来源
《中国物理C（英文版）》 |2006年第10期|1010-1013|共4页
作者
魏存峰; 王宝义; 王平; 曹兴忠; 章志明; 马雁云; 薛德胜; 魏龙;
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作者单位

1. 兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室 2. 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类理论（粒子动力学）;
关键词
彭宁离子阱; 直流化; 慢正电子束流; 正电子湮没;

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