Activation Energy; EDB/656003; Hydrogen; Impurities; Interfaces; Nondestructive Analysis; Passivation; Positrons; Silicon; Silicon dioxide; Silicon Oxides; Temperature Dependence; Wafers;
机译:Si(111),Si(110)和Si(100)上特高压制备的超薄SiO2层界面间隙态缺陷的氢钝化
机译:慢正电子束研究还原活化铁素体/马氏体钢中的氦/氢协同效应
机译:结构,氢键和原位研究氢稀释对n型晶体(100)硅表面的非晶硅钝化的影响
机译:HF-Last清洗(100)硅表面的氢钝化:MIR-FTIR研究
机译:用正电子an没诱导俄歇电子能谱研究金/铜(100)和钯/铜(100)的亚单层膜
机译:外延原位SiO2钝化(100)利用TaSiOx原子层沉积工艺制备和(110)InGaAs
机译:推注注射对正电子发射断层摄影激活研究的缓慢输注15o水