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陈永佳;
陕西国防工业职业技术学院 西安710300;
掺杂粒子电负性; ZnO基避雷器; 非线性特性; 影响;
机译:烧结时间对Dy_2O_3掺杂ZnO-Pr_6O_(11)基压敏电阻非线性特性稳定性的影响
机译:锰离子的掺杂价态对微波烧结ZnO-V2O5压敏电阻微结构和非线性特性的影响
机译:二价掺杂剂离子半径,电负性和浓度对溶胶 - 凝胶衍生ZnO薄膜物理性质的影响
机译:钙掺杂对电介质放电避雷器对ZnO-Zn_2BiVO_6-Co_3O_4陶瓷晶粒及晶界性能的影响
机译:ZnO和ZnO基薄膜合金退火的函数的温度依赖带边缘分布分析
机译:用Bimetallic Zifs作为牺牲剂合成掺杂钴掺杂钴的ZnO纳米粒子
机译:Sc2O3掺杂的ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷的高度非线性特性和阈值电压
机译:ZnO掺杂不对称问题:现状与展望。实现和实现p型ZnO的实验和理论努力的回顾,适用于蓝/紫外光谱范围的发光光电器件
机译:氧化锌(ZnO)基单晶的制造方法,ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,以及ZnO基单晶薄膜和包含该ZnO基单晶薄膜的ZnO基材料
机译:氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
机译:p型ZnO基化合物半导体层的制造方法,ZnO基化合物半导体元件的制造方法,p型ZnO基化合物半导体单晶层,ZnO基化合物半导体元件和n型ZnO基化合物半导体层叠结构
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