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王天乐; 刘义林; 朱家诚; 楼可旦; 仇乐怡; 杨涛; 黄国波;
台州学院医药化工与材料工程学院;
台州耘智科技有限公司;
金刚石涂层; MPCVD; 碳源浓度; 性能;
机译:总压和甲烷浓度对MPCVD生长的金刚石薄膜的生长速率和质量的影响的研究
机译:SiC颗粒的添加对Si {sub} 3N {sub} 4衬底上MPCVD金刚石涂层的形核密度和附着强度的影响
机译:浅,致密,连续纳米晶金刚石薄膜的成核和MPCVD生长研究,裸露和Si_3N_4涂层N极GaN
机译:烧结碳化钨基材上MPCVD金刚石涂层的生长和界面磨损性能
机译:氮化硅和硬质碳化钨工具上的微波辅助CVD金刚石涂层的分析和实验研究以及几种过渡金属上多晶金刚石的生长
机译:硼掺杂对非平面MPCVD同质外延金刚石生长过程中位错产生的影响
机译:氮和等离子体功率对MPCVD生长的掺硼金刚石电极电化学性能的影响
机译:环氧对金刚石和类金刚石碳涂层摩擦磨损的影响
机译:隐形眼镜的永久亲水处理包括在含有碳源的还原等离子体中形成类金刚石碳的表面涂层,然后在氧化的含氧等离子体中进行处理
机译:电弧放电-碳源开发设备,用于开发金属合金类金刚石碳涂层(dlc),以生产
机译:硅半导体免受移动离子影响-通过控制低浓度的氧化物涂层,通过在氧气/氯化氢或氯气中进行调节来控制氯气
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