首页> 中文期刊>世界电子元器件 >ST MASTERGAN4系统级封装(SiP)650V GaN驱动方案

ST MASTERGAN4系统级封装(SiP)650V GaN驱动方案

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

ST公司的MASTERGAN4是先进功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN有650V漏极-源极阻断电压,RDS(ON)为225 mΩ.而高边嵌入栅极驱动器能很容易由集成的阴极负载二极管供电.

著录项

来源
《世界电子元器件》|2021年第9期|45-50|共6页
作者

展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺及设备;
关键词
功率晶体管; 栅极驱动器; 阻断电压; GaN; 漏极; 源极; 驱动方案; MASTER;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. ST MASTERGAN1 650V氮化镓(GaN)晶体管半桥驱动方案 [J] . . 世界电子元器件 . 2020,第011期
2. 意法半导体（ST）推出采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET [J] . . 汽车与配件 . 2013,第35期
3. 系统级封装(SiP)的发展前景--市场驱动因素,要求达到的指标,需要克服的困难 [J] . 宗司 . 中国集成电路 . 2005,第005期
4. 系统级封装(SIP):小小封装,实惠众多 [J] . 符正威 . 电子与封装 . 2002,第003期
5. TI：600 V GaN FET功率级革命性地提升高性能电力转换效能--TI公布其制造并提供样片的首款集成高压GaN FET和驱动器解决方案可实现2倍的功率密度,同时将功率损耗减半 [J] . . 微型机与应用 . 2016,第9期
6. 系统级封装(SIP)技术的现状与发展 [C] . 杨邦朝 ,马嵩 ,顾勇 . 第十六届全国混合集成电路学术会议 . 2009
7. 电热力作用下系统级封装(SiP)的力学仿真分析 [A] . 邢前 . 2021

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号