一种基于SiP封装的纳秒级大电流激光驱动芯片

摘要

本发明公开了一种基于SiP封装的纳秒级大电流激光驱动芯片，其包括充电限流电路、储能单元、电流采样电路、GaN FET功率器件、GaN FET驱动电路、窄脉冲发生电路、续流电路、ESD抑制电路。本发明专利中的充电限流电路由电阻并联构成，窄脉冲发生电路能够产生纳秒级窄脉冲，通过GaN驱动电路驱动GaN FET器件产生大电流纳秒级脉冲，GaN FET作为激光驱动的开关控制输出的脉冲。与传统的纳秒级驱动电源相比，本发明专利采用SiP封装芯片可以降低电路尺寸，减小激光驱动回路的寄生电感，简化纳秒级激光系统的设计。