SiC功率元器件市场动向及罗姆产品的战略规划

摘要

至今半导体产业发展历经了三个阶段,分别是20世纪50年代诞生的以硅(Si)为代表的第一代半导体材料,及以80年代诞生的砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料,和如今以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带为代表的第三代半导体材料,且愈来愈被受到高度的重视。以碳化硅(SiC)为例,凭借其禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性,SiC器件备受期待,但成本相对较高也成为其发展的障碍。近日ROHM半导体(北京)有限公司设计中心所长水原徳建先生在媒体会上分享了有关SiC功率元器件市场动向和罗姆产品的战略规划。他表示,SiC的成本固然很高,但长远来看,以汽车电池技术路线分析,电池的价格在下降,性能却在增长,基本上可以把SiC模块的价格补平,对于整车厂来说,性能提高了但价格并没有太大变化。