纳米氮化硅陶瓷的氧化动力学研究

摘要

本文采用氧化后再氧化的实验方法,通过对纳米Si3N4陶瓷试样氧化行为的研究和氧化动力学的分析,讨论了纳米Si3N4陶瓷的氧化机理.结果表明,Si3N4陶瓷的氧化行为表现为氧化增量随时间的变化服从抛物线规律:(△W)2=Kpt.提出了氧在氧化层中的向内扩散是Si3N4氧化过程中的控制步骤;得出烧结添加剂或杂质对Si3N4陶瓷氧化速度的影响,是由于改变了氧化层的组成、结构,使氧在氧化层中的扩散速度发生了变化的结论.