采用He-Ne激光诱变选育速生高产茯苓菌

摘要

采用He-Ne激光对茯苓菌F9进行了2次照射诱变处理,选育到2株生长速率和产量均有较大提高的二次激光诱变株F2.10及F2.9.它们在PDA平板上培养4 d,生长速率分别比原始菌株F9提高了 91.1%和86.8%.摇瓶发酵周期缩短了2 d左右,摇瓶发酵5 d后,它们的生物量最高,分别达到39.1 g/100 mL和37.7 g/100 mL,比原始菌株F9培养7 d的最高生物量24 g/100 mL分别提高了62.9%和57.1%.经传代培养分析,诱变株的产量性状稳定.表明激光诱变是获得高产茯苓菌的有效途径.