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日本富士通公司; 65nm工艺; 芯片; 联合体;
机译:采用65nm倒装芯片CMOS工艺中的相位补偿技术的60GHz四元件相控阵发射/接收系统级封装
机译:富士通的45nm一代低功耗器件/工艺技术通过采用全低k集成了与上一代产品相同芯片面积的两倍元素,实现了低功耗
机译:采用片上金属线栅偏振器的偏振分析图像传感器,采用65nm标准互补金属氧化物半导体工艺
机译:基于65nm CMOS工艺的META压控振荡器和预分频器的研究:采用65nm CMOS进阶的META-VCO和预分频器
机译:在65nm标准CMOS技术中使用多级突触的多核神经形态芯片设计
机译:优化臭氧处理工艺以减少过量污泥采用集中复合设计生产西米工业废水活性污泥工艺
机译:采用65nm CMOS工艺的低/高频带高度线性化的可重构下变频混频器
机译:采用10单元库的全数字基带65nm pLL / FpLL时钟倍频器。
机译:采用C4芯片级集成工艺的厚金属厚ILD层采用喷涂或层压工艺进行流动的方法
机译:微芯片采用热压工艺制造
机译:能够提高高速芯片焊接工艺的各向异性导电胶的制造方法,并能改善一元型各向异性导电胶的弱点,以及采用非接触电火花的导电连接结构的制造方法
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