液态源化学气相淀积制备SiO2薄膜的设备研制

摘要

采用液态有机硅源的等离子体增强化学气相淀积设备是通向深亚微米时代的桥梁.介绍研制的液态源化学气相淀积设备的工作原理、结构特点和工艺结果,制备的SiO2薄膜膜厚均匀性±2%,折射率1.452±0.014,生长速率40 nm/min.