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TSV制程关键工艺设备技术及发展

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摘要

论述了TSV技术发展面临的设备问题,并重点介绍了深硅刻蚀、CVD/PVD沉积、电镀铜填充、晶圆减薄、晶圆键合等几种制约我国TSV技术发展的关键设备.

著录项

来源
《电子工业专用设备》 |2014年第5期|7-10,18|共5页
作者
魏红军; 段晋胜;
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作者单位

中国电子科技集团公司第二研究所,山西太原030024;

中国电子科技集团公司第二研究所,山西太原030024;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备 ;
关键词
硅通孔 ; 关键设备 ; 铜填充;

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