利用缝隙抑制型钨填充接触区工艺来降低良率损失

摘要

在早先的技术节点中,由于器件尺寸较大,能采用成核及平整化化学气相沉积（CVD）技术进行钨（W）填充。如今,由于插塞处的超小开口很容易发生悬垂现象,因此薄膜表面均匀生长的共形阶段可能在填充完成前就关闭或夹断,从而留下孔洞。即使没有孔洞,由于填充物从侧壁生长,在共形沉积时必然会在中间形成中心缝隙问题。