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符号说明
第一章 前 言
1.1 引言
1.2 集成电路光刻制造工艺简介
1.3 沟道型金属-氧化层-半导体-场效晶体管简介
1.4 本论文研究背景与意义
1.5 本论文的研究方向和内容
1.6 本论文的章节安排
第二章 某沟道型金属氧化物半导体产品失效的原理分析
2.1 引言
2.2 沟道型金属氧化物半导体工艺简介
2.3 某沟道型金属氧化物半导体产品的失效模式及特殊结构
2.4 光刻区可能影响该产品 B 低良率的因素
2.5 本章小结
第三章 光刻 BARC 涂布工艺对某沟道型金属氧化物半导体产品工艺特性的影响分析
3.1 引言
3.2 光刻涂布工艺概述
3.3 涂布工艺特征参数对对光刻胶成膜的影响
3.4 底部抗反射层对光刻涂布工艺的介入
3.5 底部抗反射层涂布腔湿度的变化影响及加剧失效
3.6 本章小结
第四章 光刻 BARC 涂布工艺去除对某沟道型金属氧化物半导体产品最终良率的影响分析
4.1 引言
4.2 流程中去除沟道-底部抗反射层涂布后产品的缺陷情况
4.3 流程中去除沟道-底部抗反射层涂布后的测试结果
4.4 产品成品率提升
4.5 节能降本及产量提升
4.6 实际应用中的指导意义
4.7 本章小结
第五章 结论与展望
5.1 本文总结
5.2 下一步研究计划和研究展望
参考文献
致谢
攻读学位期间发表的学术论文
上海交通大学;