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杨邻峰; 宁平凡; 李雄杰; 贾晓萍; 杨孟宇;
天津工业大学电气与电子工程学院;
天津工业大学大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心;
氧化镓; 超声雾化化学气相沉积; 外延生长; 宽禁带半导体; 流速; 薄膜;
机译:超声雾化学气相沉积法在α-al_2o_3衬底上刚玉结构的α-ga_2o_3薄膜的异质外延
机译:直接注液化学气相沉积法在不同衬底上生长的外延NiFe_2O_4薄膜的结构特征
机译:Al掺杂对Al_(2)O_(3)衬底上有机金属化学气相沉积生长外延GaN薄膜的晶格应变和电性能的影响
机译:预测热壁化学气相沉积法生长的SiC外延层的生长速率
机译:通过热壁化学气相沉积法生长的同质外延4H-碳化硅(1120)薄膜的界面上的多型稳定性,微观结构演变和杂质
机译:载气对薄雾化学气相沉积法生长刚玉结构外延刚玉结构α-Ga2O3薄膜质量的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的外延Pb(Zr,Ti)O3薄膜中的la取代来增强场致应变
机译:金属有机化学气相沉积法生长高质量GaN异质外延薄膜
机译:微波等离子体辅助化学气相沉积在高温下高生长速率的同质外延金刚石膜沉积
机译:微波等离子体辅助化学气相沉积法在高温下高生长速率同质金刚石膜沉积
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