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臧道俊; 李运祥; 徐帅; 王岩;
江苏大学机械工程学院;
江苏 镇江 212013;
苏州大学物理与光电·能源学部;
江苏 苏州 215006;
单层二硫化钼; 掺杂处理; 第一性原理; 能带结构; 态密度; 气敏性能;
机译:单层MoS2和CeS2表面模型替代合金电子性质的密度泛函理论研究。
机译:MoS2在单层,双层和块状SiC上的电子性质:密度泛函理论研究
机译:在单层MOS2晶体管中接近单层MOS2晶体管的弹道传输,具有自对准的10nm顶部栅极
机译:单层MoS2和MoS2 /量子点杂化物:新型光电材料。
机译:利用密度泛函理论研究MoS2单层纳米薄片的尺寸依赖性
机译:单层MoS2 2H-1T异相中的激发电子动力学:光催化机理过程的时变密度泛函理论研究
机译:单层mOs2和石墨烯表面化学传感的密度泛函理论研究(后印刷)。
机译:电镀法合成自控MoS2单层的方法和使用自控MoS2单层的晶体管
机译:电镀法合成自控MOS2单层的方法及其自耦MOS2的晶体管的合成
机译:基于单层和多层MOS2场效应晶体管的自组装制造方法
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