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卿晓梅; 镇思琦;
南通理工学院基础教学学院 江苏南通226002;
第一性原理; 单层MoS2; 电磁学; 半金属亚铁磁性; 虚拟跃迁; 自旋极化;
机译:3d过渡金属和氮共掺杂单层MoS2磁性的第一性原理研究
机译:掺杂3d过渡金属离子的单层MoS2的应变可调磁性能:第一性原理研究
机译:掺杂金属(V,Nb,Ta)的单层MoS2的第一性原理研究:结构稳定性,电子性质和气体分子的吸附
机译:Sn掺杂六角BN单层的电子和光学性质:第一性原理研究
机译:研究用于激光应用的钴,钴铁和铬掺杂的II-VI介质。
机译:MoS2单层对Pd团簇形核和生长的调节作用:第一性原理研究
机译:Fe-X6(X = S,C,N,O,F)掺杂单层MoS2的磁性的第一性原理预测
机译:单层mOs2和石墨烯表面化学传感的密度泛函理论研究(后印刷)。
机译:电镀法合成自控MoS2单层的方法和使用自控MoS2单层的晶体管
机译:电镀法合成自控MOS2单层的方法及其自耦MOS2的晶体管的合成
机译:基于单层和多层MOS2场效应晶体管的自组装制造方法
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