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功率MOSFET; N沟道; QFN封装; 低导通电阻; 电池供电; 产品线; 应用; 热插拔;
机译:使用BSG掺杂的p柱深沟道制造超结沟道栅极功率MOSFET
机译:具有应变Si / SiGe多层沟道的沟道功率MOSFET的性能
机译:P沟道功率MOSFET接近N沟道性能
机译:利用主体轮廓优化研究短沟道功率沟道MOSFET
机译:用于功率IC应用的硅横向沟道功率MOSFET
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:功率短沟道MOSFET研究:高速低损耗研究
机译:N沟道功率mOsFET中单事件烧毁的温度依赖性
机译:半导体器件和形成低压功率MOSFET的方法,使用石墨烯作为金属层,石墨烯纳米带作为硅、GAN、SIC衬底上功率垂直和横向MOSFET的沟道和漏增强区,或Diamond将窄带隙工程与宽带隙工程相结合,在电力半导体行业实现节能设备和环境进步
机译:作为拥有长沟道沟槽栅极功率MOSFET的空沟槽栅极功率MOSFET
机译:具有长沟道沟槽栅型功率MOSFET的零沟槽栅型功率MOSFET具有
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