• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中文期刊> 《今日电子》 >Si整流器与SiC二极管:谁与争锋硅器件降低了成本且/或提高了设备性能

Si整流器与SiC二极管:谁与争锋硅器件降低了成本且/或提高了设备性能

         
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

@@ 在当今的电气设备中,功率半导体和电抗式元件(电容和电感)随处可见.它们在正常工作过程中会在为其供电的交流电线上产生两种不希望出现的副作用.

著录项

  • 来源
    《今日电子》 |2007年第11期|40-41|共2页
  • 作者

  • 作者单位

    Qspeed半导体公司;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号