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半导体; 金属有机分子束; 外延生长; GaAs;
机译:金属有机分子束外延生长在(001)GaAs上的GaAsN的结构性质
机译:使用三-二甲基氨基锑通过金属有机分子束外延生长的InGaAsSb薄膜中的碳还原和锑掺入
机译:金属有机分子束外延生长在GaAs(001)衬底上的CdO层的结构特性
机译:金属有机分子束外延在(001)GaAs上生长的GaAsN的微观结构
机译:利用金属有机分子束外延生长和表征高速掺C的基极InP / InGaAs异质结双极晶体管。
机译:电子束法表征MOCVD InGaP / GaAs结中界面处多余层的化学性质
机译:金属有机分子束外延和在1.5μm波长范围内发射的GaAsNSe / GaAs超晶格的表征
机译:高生长速率金属有机分子束外延制备Gaas空间太阳能电池
机译:利用金属有机分子束外延(MOMBE)的GaAs器件制造
机译:N型掺杂到复合半导体中,使用相同的化学束沉积,金属有机分子束表观生长,气态分子束束表观生长,金属有机气相沉积
机译:桌子在接合处外金属处的滑动
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