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晓晔;
无;
半导体; 分子束外延法; 硅; GaAs; 外延生长;
机译:InAs在P端接的Si(111)表面上的初始生长,以促进在图案化Si上InGaAs微盘的均匀横向生长
机译:比较GaAs(111)B和Si(111)上Au辅助GaAs纳米线的形核和生长
机译:金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上异质外延生长垂直GaAs纳米线
机译:GaAs(111)A和GaAs(111)B表面上GaN初始生长过程的从头算
机译:金属有机气相外延法在Si衬底上异质外延生长GaAs。
机译:Si(100)和Si(111)衬底生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线中光生载流子的动力学
机译:Si(111)上的GA辅助成核核心和GaAs纳米线生长的孵育时间分析(111)
机译:缺陷和杂质对ag在si(111)上的初始生长的影响。
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:伏安-韦伯法在硅基板(111)上通过大面积纳米印迹法生长砷化镓纳米线,可根据设备的特性控制带隙能量
机译:在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法
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