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氮化镓; MgAlO基片; 生长;
机译:AIN / GaN应力缓解层的应变状态及其对100mm Si(111)上氨分子束外延生长的GaN缓冲层的影响
机译:AlN / GaN应力缓解层的应变状态及其对100mm Si(111)上氨分子束外延生长的GaN缓冲层的影响
机译:直径为6英寸的Si衬底金属-有机气相外延系统上的高生长速率AlGaN缓冲层和用于AlGaN / GaN HEMT的低碳GaN的大气压生长
机译:在硅衬底上形成硝化铪氧化物缓冲层,GaN-Si杂交光学MEMS的GaN量子阱晶体生长
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:沉积在双缓冲层上的分子束外延生长的GaN外延层中的低频噪声特性
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:在石墨烯层上生长GaN层的方法和使用在石墨烯层上的GaN层的发光器件
机译:使用MSE生长的缓冲层在蓝宝石上生长GaN
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