TU1无氧铜在室温-600℃氧化行为研究

摘要

TU1无氧铜性能优异,成本低廉,是广泛应用的导热材料,在使用过程中发生氧化会严重影响其性能,因而其氧化行为被广泛研究。本文针对TU1无氧铜开展了室温至600℃空气氧化试验,用场发射扫描电镜(SEM)观测了TU1无氧铜氧化过程中的微观形貌变化,并利用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)分析了氧化产物及其深度分布。结果表明,随着氧化温度的升高,在TU1无氧铜表面先后生成Cu_(2)O和CuO;其重量随着温度升高表现为先升高后降低的趋势;温度为200℃时,氧化层深度约为200nm。