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机译: Colon Nissin向名古屋工业大学的“氮化物半导体业务创造中心”提供世界上最长的GaN-MOCVD器件
机译:开发出世界上第一个基于GaN的半导体剥离工艺,该工艺极大地扩展了半导体器件的使用范围,预计将应用于可有效利用紫外线,薄型发光二极管等的太阳能电池。
机译:开发了世界上第一个基于GaN的半导体剥离工艺,该工艺极大地扩展了半导体器件的范围:有望应用于可有效利用紫外线的太阳能电池,薄型发光二极管(LED)的制造等。
机译:用于未来电源开关系统的GaN基半导体器件
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:开发半导体器件的接触材料。半导体器件铝导体材料的现状和未来技术。
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:GaN基半导体光学器件,GaN基半导体光学器件的制造方法,外延晶片的生长方法和GaN基半导体膜
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