周期数n对(BSZT/BTO)_(n)薄膜微观结构和电学性能的影响

摘要

为了提高单周期BSZT/BTO薄膜的性能,采用射频磁控溅射技术制备了(BSZT/BTO)_(n)(n=1,2,3,4)多周期异质结构薄膜。通过XRD、SEM和电学性能测试等手段探究周期数n对(BSZT/BTO)_(n)薄膜微观结构和电学性能的影响。结果表明,随着周期数n的增加,(BSZT/BTO)_(n)薄膜结晶性增强,介电常数增大,介电损耗减小。在1 MHz测试条件下,(BSZT/BTO)_(4)薄膜的介电常数为187,介电损耗仅为0.02,同时薄膜的铁电性略微增加,而漏电流密度降低到了1.16×10^(-5)A/cm^(2),这表明(BSZT/BTO)_(n)薄膜周期数增加能有效提高薄膜的微观结构和电学性能。除此之外,还对(BSZT/BTO)_(4)薄膜漏电流密度机制与温度和电场强度的关系进行了研究,从机理上说明了(BSZT/BTO)_(4)薄膜漏电流密度特性。