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严群; 陈家钊; 涂铭旌;
四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610065;
压敏阀片; 纳米ZnO; 电性能; 微观结构;
机译:Y_2O_3-La_2O_3共掺杂对纳米ZnO粉体制备的ZnO基压敏陶瓷微观结构和电性能的影响
机译:纳米ZnO粉制备的La2O3和Sm2O3共掺杂ZnO基压敏陶瓷的微观结构和电性能
机译:纳米ZnO粉体制备的La2O3和Sm2O3共掺杂ZnO基压敏陶瓷的微观结构和电性能
机译:Bi 2 inf> O 3 inf>掺杂对低残留电压掺杂Al的ZnO压敏电阻电性能的影响
机译:骨骼中的电压敏感钙通道:在非易激发组织中的电激发钙通道的作用
机译:优化Bi2O3TiO2和Sb2O3掺杂的ZnO基低压压敏陶瓷的性能以最大化非线性电性能
机译:加工条件对根据可用的纳米晶体ZnOE电子补充信息制备的压敏电阻的影响:1)与Sb,Bi和Co涂覆前后的纳米ZnO样品的HRTEM相关的EDX; 2)添加所有掺杂剂后,在300°C下煅烧的压敏电阻粉末的HRTEM和EDTEM与HRTEM相关; 3)在1050°C烧结的核壳压敏电阻样品的FESEM与EDX相关。参见http://www.rsc.org/suppdata/jm/b3/b306280e/
机译:纳米ZnO:生长,掺杂和表征;最终的评论。 2006年10月1日至2007年6月30日
机译:移动电话的无线电频率接收电路,特别是用于最小化CDMA信号在无线电频率路径上影响GPS性能并接收CDMA信号的干扰影响
机译:非工厂测量双电的测量程序和设备导电片或箔状材料的电性能或(影响物理性能)。
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