溅射工艺参数对BST薄膜介电常数的影响

摘要

采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基片上制备了约700 nm的Ba03Sr0.5TiO3(BST)薄膜.研究了溅射功率、气压、ψ[O2/(Ar+O2)]比和基片温度对εr的影响,获得各种溅射条件下的薄膜的εr为250～310.提出了较优的工艺,即本底真空1.5×10-3Pa、靶基距6.2 cm、功率300W、气压1.8Pa、ψ[O2/(Ar+O2)]为30%和衬底温度500℃,并研究了薄膜的晶相、组成和形貌.