掺硅对二氧化钛压敏电阻性能的影响

摘要

采取通用的陶瓷工艺,按配方(摩尔分数)TiO2+0.3%(BaCO3+Bi2O3)+0.075%Ta2O5+x%SiO2,其中x = 0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,制备试样.经过R-f,C-f和I-V测量,研究了SiO2对(Ba, Bi, Si, Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响.结果表明:当x = 0.3时,压敏电压最低(E10mA为8 V·mm-1),电容量最大(C为30 pF,1 kHz)及晶粒电阻最小(1.4 Ω).