压敏电压

摘要： 该文主要从多个不确定度分量方面,以某一测量点为例评定压敏电阻直流参数测试仪压敏电压测量不确定度.

摘要： ZnO压敏电阻的老化主要由施加电压及温度因素造成,为研究其在工作电压下的热电特性,利用建立的压敏电阻交、直流老化试验平台,开展了热电应力下压敏电阻温度特性、荷电率特性及直流老化特性的试验研究.结果表明:1)直流电压荷电率(电压与压敏电压的比值)在85％～92％区间,泄漏电流和功耗随荷电率增大有下降趋势,而交流电压下两参数随荷电率的增加而增加;2)直流老化试验中,在97％荷电率和145°C温度下,10 K250压敏电阻的泄漏电流经历了快速下降、缓慢上升、激增3个阶段.泄漏电流的剧增点(增长到初始值的900％),压敏电压(流过电阻片的直流电流为1 mA时的直流压敏电压)的变化小于1％,因此,将压敏电压值降为初始值的10％作为老化试验寿命终结判据是否合理有待进一步的研究.

摘要： 采用溶胶-凝胶法成功制备了梯度掺杂CaCu3Ti4-xZrxO12(x=0、0.05、0.10、0.15、0.20)薄膜.通过X射线衍射及扫描电镜对其相结构及显微组织进行分析;采用压敏电阻直流参数仪和精密阻抗分析仪对其压敏和介电性能进行研究.研究结果表明,Zr梯度掺杂不仅能显著降低CCTO薄膜的晶粒尺寸,而且提高其非线性系数.相比于下梯度掺杂,Zr上梯度掺杂CCTO薄膜综合电性能最好,其中非线性系数为α=8.3,漏电流IL=102μA,压敏电压VT=7.44 V/mm,介电损耗tanδ=0.029.上梯度掺杂CCTO有利于电容-压敏双功能器件的开发和应用.

摘要： 本文研究了退火对TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷的压敏性能的影响,采用球磨-成型-烧结的传统方法制备TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷,并将TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷在不同温度下退火,用压敏直流参数仪测试样品的非线性系数α、压敏电压EB,采用XRD、SEM和STEM分析微观结构。结果表明,适宜温度下退火适当时间,可使晶粒适当长大,并使晶粒粒度分布均匀,减少气孔和提高致密度。退火过程中,半径较大的受主离子获得动能进一步向晶界偏析,增大晶界受主态密度,从而提高非线性系数α。晶粒适当长大,晶界数量和晶界总面积减小,有助于减小压敏电压;提高致密度可减小电阻率,从而进一步减小压敏电压。当掺杂浓度为0.20mol%,烧结温度为1350°C,700°C退火3 h的TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷获得最高的非线性系数和较低的压敏电压(α=8.6,EB=22.5 V·mm-1),优于没有退火样品。

摘要： 通过实验探究ZnO压敏电阻在不同温度的处理后的性能变化,结果表明,压敏电压Vb、非线性系数α、漏电流IL均受温度影响,本文着重分析压敏电压Vb的生产工艺改善策略,根据ZnO压敏电阻的温度特性,制定出品质异常改善方案,改善产品性能,做到精益求精.

摘要： TiO2压敏电阻是一种典型的非线性电流-电压电子器件,本文研究了Ge掺杂对TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷的非线性系数α和压敏电压EB的影响.采用传统的球磨-成型-烧结方法成功制备Ge掺杂TiO2-Nb2Os-CaCO3压敏陶瓷,用压敏直流参数仪测试样品的非线性系数α、压敏电压EB和漏电流JL等电学性质,并根据相关公式计算样品平均势垒高度.XRD、XPS、SEM和STEM分析表明,Ge掺杂显著改变TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷微结构,提高非线性系数α和减小压敏电压EB.当施主Nb2O5和受主CRCO3掺杂浓度分别为0.5mol％时,掺杂1.0mol％ Ge的压敏陶瓷获得了最高的非线性系数和较低的压敏电压(a=10.6,EB=8.7 V/mm),明显优于不掺杂Ge的TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷.此外,Ge熔点较低,作为烧结助剂可以降低陶瓷的烧结温度,TiO2-Nb2O5-CaCO3-Ge压敏陶瓷最佳烧结温度是1300°C.

摘要： 研究了V5+-Sr2+共掺杂对TiO2基压敏陶瓷电学性能的影响.采用固相烧结方法制备V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品.利用XRD衍射仪检测物相和SEM测定显微结构.用压敏电阻直流参数仪测定V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品在不同烧结温度和掺杂量下的电学性能.结果表明:掺杂0.35 mol%的V2O5,XRD衍射仪没有检测到第二相的产生.随着SrCO3掺杂量以及烧结温度的增加,样品压敏电压和非线性系数都有不同的变化趋势.当烧结温度为1 300°C、Sr2+掺杂量为0.5 mol%时,样品的各项电学性能最优:V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品压敏电压达到16.3 V/mm,非线性系数α达到5.6.%Effect of co-doping V5+-Sr2+ on the properties of TiO2 varistors ceramic was studied.V5+-Sr2+ co-doped TiO2 samples were prepared by adopting the solid phase sintering method.XRD and SEM were carried out to measured the microstructure and chemical composition of V5+-Sr2+ co-doping TiO2.Based on different sintering temperatures and V5+-Sr2+ co-doping content,electrical properties of V5+-Sr2+ were tested out by using the parameters instrument.The results show that secondary phase is observed in V5+-Sr2+ doped TiO2 samples when the V2O5 doped amount is 0.35 mol%.With SrCO3 doping content and sintering temperature increasing,varistor voltage and nonlinear coefficient of V5+-Sr2+ co-doped TiO2 samples present different trends to change.0.5 mol% Sr2+ doped samples sintered at 1300°C possess the optimal properties with a voltage of 16.3 V/mm and a nonlinear coefficient of 5.6.

摘要： 在对氧化锌压敏电阻的劣化研究中,由于U1mA和Ileakage存在“拐点效应”,从而不能够第一时间判断出氧化锌压敏电阻劣化的情况.为此通过实际的冲击平台,研究在不同冲击时间下,氧化锌压敏电阻阀片内部的温度变化情况,主要得出:距离电极较近位置处的变温率较大,远离电极的一端变温率较小,即氧化锌压敏电阻存在极性现象;当变温率出现明显的变化时,压敏电压U1mA和漏电流Ileakage变化处于正常范围内,当压敏电压U1mA和漏电流Ileakage出现明显变化时,氧化锌压敏电阻已经劣化到一定程度,甚至已经完全损坏,所以变温率可以作为衡量氧化锌压敏电阻劣化的一个量.

摘要： 本文介绍了氧化锌压敏电阻器常见的失效形式及其诱因的作用原理.对氧化锌压敏电阻器在工频暂时过电压下的损坏进行了重点的讨论.提出了一种新的选择压敏电压的方法.

摘要： 本文采用高压蒸煮的方法,研究了防雷型压敏瓷片耐潮湿性的一般规律,分析了瓷料配方、烧结温度、压敏电压和片径以及表面形态对防雷型压敏电阻瓷片耐潮湿性能的影响,讨论了压敏瓷片耐潮湿性能的表面效应和特征参数.

摘要： 现有的压敏电阻器技术标准或应用技术资料,在谈到失效判定电参数时,几乎都是"压敏电压(UN)较初始值下降10％"这个判据.这个判据无疑是正确的,但在实际应用中至少有两个问题:第一,压敏电压表现为"突降特性(硬特性)"时,不能用来判定压敏电阻是否已接近失效.第二,在有些试验中,压敏电阻上有其他电压,不允许切断这个电压来测量UN.因而有必要寻找其他替代电参数,但这种替代电参数往往与具体产品的配方和工艺技术有关,需要由生产方查明各项参数的劣化规律,然后选用适用参数.

摘要： 本文以压敏电阻器脉冲寿命过程为研究对象,通过实验分析压敏电阻器在单向和换向重复脉冲冲击下的失效过程,分析讨论随着冲击次数的增加压敏电压的变化过程的特点和趋势,指出换向脉冲寿命大于单向脉冲寿命,提出压敏电压的对称变化模型,基于这个模型进一步提出了用外推法测试评估压敏电阻器的方法.

摘要： 采用传统陶瓷工艺制备了不同ZrO2含量(0％～2.0％,质量分数)的ZnO-Pr6O11-CoO-Cr2O3基压敏陶瓷.这些陶瓷在1300°C下经2h烧结而成.X-射线衍射分析表明,掺入的ZrO2在高温下会和Pr6O11反应生成Pr2Zr2O7.扫描电镜观察表明,掺入ZrO2后ZnO晶粒的生长受到了抑制.由于ZrO2掺杂,所得压敏电阻的压敏电压逐渐增大,这可能是因为ZnO晶粒减小之故.随着ZrO2掺杂量的增加,所得压敏电阻的非线性系数先增大后减小,当ZrO2掺杂量为0.5mol％时,非线性系数最大,达到17,此时的压敏电压为623V/mm.而在所设计的实验条件下,当ZrO2掺杂量为2.0 mol％时,压敏电压最高为1490V/mm,非线性系数为10.

摘要： 采用固相法制备了偏离化学计量的CCTO陶瓷样品(组成CaCu3+xTi4O12,x=-0.12～+0.12),研究发现Cu含量的改变对微观结构和介电性能影响显著.符合化学计量比的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷微观结构不均匀,部分晶粒发生异常生长,而CCTO晶粒间界存在明显的富Cu相析出.随着Cu含量减少,晶粒平均粒径减小并趋于均匀.电性能测试结果表明,标准化学计量或Cu过量(x=0～0.12)的CCTO陶瓷样品,表观介电系数、压敏电压与样品厚度的关系符合体型或晶界型特征,即表观介电系数与样品厚度无关,压敏电压与样品厚度成正比;减少Cu含量(x=0～-0.12),这种体型或晶界型特征逐渐转变为表面型特征,当x＜-0.08时,样品的表观介电系数与样品厚度成正比,压敏电压与样品厚度无关,表现出表面效应特征.

摘要： 以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向.经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I特性,漏电流小,压敏电压低.温度对薄膜的V-I特性影响较大.文章讨论了ZnO低压压敏薄膜的导电机理.

摘要： 以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向.经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I特性,漏电流小,压敏电压低.温度对薄膜的V-I特性影响较大.文章讨论了ZnO低压压敏薄膜的导电机理.

摘要： 对GDARE法制备的ZnO薄膜样品进行不同热处理时间的压敏特性、交流阻抗谱测试,结果表明不同的热处理时间对薄膜的I-V非线性特性有重要影响,热处理时间延长,薄膜晶界电阻不断下降.文章讨论了薄膜晶界处吸附气体电荷浓度对晶界处形成的势垒高度的影响.建立不同热处理时间下ZnO压敏薄膜晶界势垒模型,得出热处理时间对ZnO薄膜晶界效应的影响机理.

摘要： 对GDARE法制备的ZnO薄膜样品进行不同热处理时间的压敏特性、交流阻抗谱测试,结果表明不同的热处理时间对薄膜的I-V非线性特性有重要影响,热处理时间延长,薄膜晶界电阻不断下降.文章讨论了薄膜晶界处吸附气体电荷浓度对晶界处形成的势垒高度的影响.建立不同热处理时间下ZnO压敏薄膜晶界势垒模型,得出热处理时间对ZnO薄膜晶界效应的影响机理.

摘要： 一种中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路，包括两个以上压敏电阻器通过并联、串联或串并联组成，其分别达到：1)、压敏电阻器满足规定要求；2)、浪涌过电压保护电路满足规定要求。本技术可以提高压敏器件的耐受性和抗冲击电流的能力，极大的降低残压，大幅度地减少被保护电路的成本，延长了保护电路寿命。

摘要： 本发明涉及压敏陶瓷添加剂、压敏陶瓷材料、压敏陶瓷及制备方法、压敏电阻及制备方法、电阻元件，属于压敏电阻材料技术领域。本发明的用于ZnO压敏陶瓷的添加剂，主要由以下原料经过烧结制成：Gd2O3、Bi2O3和Sb2O3。本发明通过添加剂烧结工艺，可优化ZnO压敏陶瓷材料的微观结构及均匀性。ZnO压敏电阻的晶粒分布效应在能量吸收能力中起着主导作用，不均匀的晶粒分布、以及高气孔率会导致漏电流不均匀和热量集中，从而降低能量吸收能力。通过烧结添加剂，降低了原料表面能，使粒径分布更均匀，密度更大，进而提高ZnO压敏电阻的能量吸收能力，本发明的用于ZnO压敏陶瓷的添加剂制备的ZnO压敏电阻的能量吸收能力可达290J/cm3。

摘要： 本发明的课题在于，提供一种如下结构的压敏传感器，该压敏传感器能够有效利用布的柔软性并进行稳定的加压压力的测量，并且能够在不受镀敷设备那样的设备尺寸的限制的情况下设为能够对大范围的压力分布进行测量的尺寸，并且能够抑制材料费且生产率较高。作为解决方式，压敏传感器(1)包括在导电布(2)的第1主表面上以第1间隔配置的多个第1电极布(3)和在导电布(2)的第2主表面上沿与第1电极布(3)交叉的方向以第2间隔配置的多个第2电极布(4)，第1电极布(3)与第2电极布(4)的交叉区域(V1)呈矩阵配置地形成，在导电布(2)涂布有第1导电性颗粒(11)，并且在第1电极布(3)和第2电极布(4)涂布有电导率比第1导电性颗粒(11)的电导率高的第2导电性颗粒(12)。

摘要： 本发明涉及一种耐大冲击电流的高电压梯度氧化锌压敏阀片侧面绝缘层材料的制备方法，属于电工材料技术领域。首先将Bi

摘要： 一种高电压梯度ZnO压敏陶瓷微球的制备方法，其特征在于，包括浆料制备步骤、造粒步骤、结烧步骤，所述浆料制备步骤、造粒步骤、结烧步骤依次进行。其有益效果是：有效地提高ZnO压敏陶瓷微球的电压梯度，改善ZnO压敏陶瓷微球的老化稳定性，经老化实验测定，老化系数为1。

摘要： 一种中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路，包括两个以上压敏电阻器通过并联、串联或串并联组成，其分别达到：1)、压敏电阻器满足规定要求；2)、浪涌过电压保护电路满足规定要求。本技术可以提高压敏器件的耐受性和抗冲击电流的能力，极大的降低残压，大幅度地减少被保护电路的成本，延长了保护电路寿命。

摘要： 本发明提供一种提高氧化锌压敏陶瓷电压梯度的制造工艺,包括以下步骤：步骤1，原料配制，按照一定比例将ZnO、Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Cr2O3、Co2O3、SiO2以及Ag2O称量配制初始原料；步骤2，制备辅助添加浆料，步骤3，将辅助添加浆料和ZnO混合，步骤4，添加银离子，步骤5，成型，步骤6，烧结，与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：通过使用新的设备，超细砂磨机代替传统的行星式球磨机，并选用0.6～0.8mm粒径尺寸的氧化锆球，首先对添加物进行超细砂磨，使得添加剂的平均粒径达到0.1～0.2mm，并分布在很窄的范围内，然后用细磨料浆与氧化锌混合后进行再次砂磨，并喷雾造粒，并完成电阻片的制造。在不改变烧成温度和配方的情况下，获得500V/mm的高梯度电阻片。

摘要： 一种电压梯度场绝缘材料填充的高非线性系数ZnO压敏陶瓷微球制备方法，其特征在于，包括浆料制备步骤、造粒步骤、结烧步骤，所述浆料制备步骤、造粒步骤、结烧步骤依次进行。其有益效果是：有效提高用于梯度场绝缘材料填充的ZnO微球的非线性系数，并改善ZnO压敏电阻的老化稳定性。

摘要： 一种中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路，包括两个以上压敏电阻器通过并联、串联或串并联组成，其分别达到：1)、压敏电阻器满足规定要求；2)、浪涌过电压保护电路满足规定要求。本技术可以提高压敏器件的耐受性和抗冲击电流的能力，极大的降低残压，大幅度地减少被保护电路的成本，延长了保护电路寿命。

摘要： 本实用新型公开了一种测试氧化锌电阻片压敏电压的装置，包括主体，所述主体上设置有插口，所述主体在插口边侧一体成型设置有第一保护边框，所述第一保护边框中设置有凹槽，所述凹槽中一体成型对称设置有连接弹簧、连接弹簧另一端一体成型设置在第二保护边框的底端，所述第二保护边框的上端面一侧一体成型设置有第一固定板、与之对称的一侧一体成型设置有第二固定板，所述第一固定板中设置有放置槽，通过本实用新型对于测试仪器的插口具有很好的保护作用，进而保证仪器的正常使用，保证测试工作的正常进行。