制备工艺对ZnO薄膜的结构与光学性质的影响

赵银平; 丁瑞钦; 朱慧群; 胡怡; 王忆; 汪河洲

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制备工艺对ZnO薄膜的结构与光学性质的影响

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利用射频磁控反应溅射技术生长出具有高度晶面(0002)取向的ZnO外延薄膜.通过AFM、XRD、吸收光谱和荧光光谱等测试手段,分别研究分析了不同衬底、不同溅射气氛和退火对ZnO薄膜结构及光学性质的影响.研究表明,在200 ℃低温生长的硅基ZnO薄膜具有几百纳米的氧化锌准六角结构外形;当氧氩比为4:1(质量流量比)时,吸收谱激子峰最佳;退火后,激子峰(363 nm)加强,同时出现了402 nm的本征氧空位紫光发射.

著录项

来源
《电子元件与材料》 |2007年第2期|20-23|共4页
作者
赵银平; 丁瑞钦; 朱慧群; 胡怡; 王忆; 汪河洲;
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作者单位

中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275;

五邑大学薄膜与纳米材料研究所,广东,江门,529020;

五邑大学薄膜与纳米材料研究所,广东,江门,529020;

五邑大学薄膜与纳米材料研究所,广东,江门,529020;

暨南大学化学系,广东,广州,510632;

五邑大学薄膜与纳米材料研究所,广东,江门,529020;

中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275;

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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
半导体技术; 射频磁控反应溅射; ZnO外延薄膜; 光致发光;

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