RF MEMS器件薄膜微桥厚度及均匀性控制工艺研究

摘要

RF MEMS器件加工工艺复杂,加工过程繁琐.其中重要工序如牺牲层平坦化及释放、薄膜微桥尤其固支及悬桥的电镀层厚度及均匀性是其中非常关键的技术.本研究运用控制电镀过程电流密度和控制镀层厚度、及改变刻蚀时间等方法有效解决了薄膜微桥厚度及均匀性的难题,使薄膜微桥的厚度精度≤±0.06μm、厚度均匀性控制在≤5％.