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王平;
骊山微电子公司,西安,710054;
GaN材料;
机译:用于微波功率和高温应用的AlGaN / GaN / BGaN / GaN / Si HEMT的DC和RF特性优化
机译:使用HiSIM-GaN紧凑模型分析大功率应用中GaN高电子迁移率晶体管的开关特性
机译:改进用于毫米波功率应用的具有U型栅脚的A1GaN / GaN HEMT的击穿特性
机译:与SJ-MOSFET应用程序应用GaN-HFET相互比较的GaN-HFET应用的非接触式电动ZVS谐振转换器的测量效率特性
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:基于无机AlGaN / GaN量子阱和胶体ZnO纳米晶体的杂化材料的时间分辨光致发光特性
机译:用可变角度椭偏仪研究GaN和其他III族氮化物半导体材料的光学特性
机译:用于生成虚拟特征映射的学习方法和学习设备,其特性通过使用能够应用于虚拟驾驶环境中的域适应的GaN来使用GaN的真实特征映射的虚拟特征映射
机译:改善用于生产甜浆或浆的浆粕特性的方法,以提高吸收浆液的吸收率并提高纤维浆的吸收性,提高了浆粕的吸收性能。用作提高纸浆快速吸收特性的方法的浆料,用于生产abosorvente装置的应用过程,该装置具有捕获层和内芯元件,用于吸收性吸收性纸浆装置至少一种元素层cotato吸收材料和改善纤维素材料的吸收的方法,所述纤维素材料为以下形式的纤维状纤维素材料:
机译:生长用于制造具有增强的光提取特性的发光二极管的GaN层的方法,使用该GaN层的发光二极管的制造方法及其发光二极管装置
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